來自科學(xué)家新的消息稱，新型分子可以幫助超出其存儲限制閃存的功能，它允許在小空間里面記錄海量的數(shù)據(jù)。一種稱為金屬氧化物簇的物質(zhì)是可以保留電荷的，并作為RAM可構(gòu)成閃存用于數(shù)據(jù)單元在新的基礎(chǔ)上，從化學(xué)工程與羅維拉我維爾吉利大學(xué)在西班牙格拉斯哥學(xué)院大學(xué)的研究人員在發(fā)表的信中顯示。

　　本研究小組的13位研究人員稱，多金屬氧酸鹽（POM）的分子可以充當(dāng)MOS閃速存儲器的存儲節(jié)點。他們用鎢合成POM金屬氧化物團(tuán)簇，并添加硒到自己的核心中，這種被稱為摻雜過程，以創(chuàng)建一個新的類型的內(nèi)存，他們稱之為“一次寫入”。
　　該研究涉及數(shù)據(jù)單元的閃速存儲器的大小，因而被廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備，例如智能電話，存儲棒和相機(jī)的極限存儲方面。